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为了达到更高的容量,现在的NAND闪存芯片通常都会采用MCP(多芯片封装)形式,将多颗die整合在一起,不过工艺和技术所限,一般每颗闪存内只有两 个或四个die,八个的都极其罕见,而加拿大公司MOSAID Technologies今天宣布,他们已经试产了全球第一颗采用惊人十六die封装的 NAND闪存芯片,让他们和谐地运行在了一个高性能通道内。
这颗闪存采用了MOSAID独家的HLNAND MCP技术,利用两个HyperLink NAND接口将多达16颗业界标准的32Gb(4GB) NAND Flash die放到了一起,总容量达到了64GB,而单个字节宽度的HLNAND接口通道输出带宽为333MB/s,同步读写数据率667MB/s,另外电压1.8V,低功耗、完整独立逻辑单元号(LUN)运行,无需终端电阻。
该闪存的封装格式为100-ball BGA,长宽尺寸仅18×14毫米。
如果使用传统MCP封装技术,超过四个NAND die的堆叠就会严重影响性能,并且需要两个或更多通道才能获得类似的吞吐带宽。